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IRF5305STRLPBF
0.828
IRF5305STRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF5305STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-55.0 V
额定电流
-31.0 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
P-Channel
功耗
3.8 W
零部件系列
IRF5305S
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
-31.0 A, 310 mA
上升时间
66.0 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF5305STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF5305STRLPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.68 MByte

IRF5305 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.06ohm ,ID = -31A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
Kersemi Electronic
SHENZHENFREESCALE
New Jersey Semiconductor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5305STRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF5305PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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