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IRF530NSTRLPBF
0.43
IRF530NSTRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF530NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
17.0 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
90 mΩ
极性
N-Channel
功耗
70 W
零部件系列
IRF530NS
输入电容
920pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
22.0 ns
输入电容值(Ciss)
920pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF530NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF530NSTRLPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.27 MByte
International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.27 MByte

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功率MOSFET Power MOSFET
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International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
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Harris
N沟道 100V 14A
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