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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRF610STRLPBF Datasheet 文档
IRF610STRLPBF
0.32

IRF610STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
3 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
3.30 A
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
8.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

IRF610STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRF610STRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.05 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.26 MByte

IRF610 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
3.3A , 200V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 3.5A , 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
Microsemi(美高森美)
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