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IRL1004STRLPBF
3.189
IRL1004STRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRL1004STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
150 W
极性
N-CH
功耗
3.8 W
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
130A
上升时间
210 ns
输入电容值(Ciss)
5330pF @25V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)

IRL1004STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL1004STRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRL1004 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL1004SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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