￥ 0.782

IRF630NSTRRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF630NSTRRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRF630NSTRRPBF 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF630NSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

82 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

9.3A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

575pF @25V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

82W (Tc)

查看数据手册 >

IRF630NSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF630NSTRRPBF 符合标准

IRF630NSTRRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.32 MByte

IRF630NSTRRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF630NSTRRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF630NSTRRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF630NSTRRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF630 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V

IRF630 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF630 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道功率MOSFET ， 12A ， 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V

IRF630 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF630 数据手册

Intersil（英特矽尔）

9A ， 200V ， 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF630 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF630 数据手册

Harris

IRF630 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

IRF630 数据手册

Vishay Siliconix

IRF630 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号