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IRFR5305TRL
1.597
IRFR5305TRL 数据手册 (11 页)
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IRFR5305TRL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
P-CH
功耗
110 W
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
31A
上升时间
66 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
下降时间
63 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

IRFR5305TRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR5305TRL 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.21 MByte

IRFR5305 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR5305TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR5305TRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 31A, D-PAK, 整卷
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5305PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, D-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5305TRLPBF  场效应管, MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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