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IRF634PBF
0.474
IRF634PBF 数据手册 (7 页)
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IRF634PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
74 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.45 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
8.10 A
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
770pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74 W

IRF634PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF634PBF 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 3.48 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.26 MByte

IRF634 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Intersil(英特矽尔)
Microsemi(美高森美)
Vishay Intertechnology
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