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IRF640NPBF
0.146
IRF640NPBF 数据手册 (11 页)
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IRF640NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
150 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-CH
功耗
150 W
阈值电压
4 V
输入电容
1160 pF
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
18A
上升时间
19 ns
热阻
1℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
5.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IRF640NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.4 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF640NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF640 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
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