￥ 0.27

IRF640NSTRLPBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道,220V,18A,150mΩ@10V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF640NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRF640NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF640NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

零部件系列

IRF640NS

输入电容

1160pF @25V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

19.0 ns

热阻

1℃/W (RθJC)

输入电容值(Ciss)

1160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

IRF640NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IRF640NSTRLPBF 符合标准

IRF640NSTRLPBF 海关信息

IRF640NSTRLPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

11 页 / 0.32 MByte

IRF640 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET

IRF640 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF640 数据手册

Vishay Siliconix

IRF640 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF640 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF640 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF640 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

IRF640 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

IRF640 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF640 数据手册

Samsung（三星）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号