￥ 1.263

IRF640PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF640PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF640PBF 数据手册 (8 页)

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IRF640PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

125 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

8.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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IRF640PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

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IRF640PBF 符合标准

IRF640PBF 概述

IRF640PBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 2.18 MByte

IRF640PBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

12 页 / 0.35 MByte

IRF640PBF 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.06 MByte

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