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IRF640STRRPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF640STRRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF640STRRPBF 数据手册 (11 页)

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IRF640STRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

51 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

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IRF640STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2000

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IRF640STRRPBF 符合标准

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