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IRF7205PBF
器件3D模型
0.983
IRF7205PBF 数据手册 (9 页)
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IRF7205PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
4.6A
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
870pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
71 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRF7205PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7205PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7205 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7205TRPBF  场效应管, MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
IRF7205TRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7205PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 4.6 A, -30 V, 70 mohm, -10 V, -3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7205PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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