器件3D模型

￥ 0.773

FDS6679 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOIC-8

描述:

FDS6679 系列 30 V 9 mOhm 表面贴装 P 沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDS6679 数据手册 (4 页)

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FDS6679 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0073 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

3939pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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FDS6679 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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FDS6679 符合标准

FDS6679 概述

FDS6679 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

FDS6679 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.53 MByte

FDS6679 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.58 MByte

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