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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7303TRPBF Datasheet 文档
IRF7303TRPBF
器件3D模型
0.288
IRF7303TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7303TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
4.90 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
50.0 mΩ
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7303
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.90 A
上升时间
21.0 ns
输入电容值(Ciss)
520pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

IRF7303TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF7303TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.22 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.22 MByte

IRF7303 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.050ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7303TRPBF.  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7303PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.9 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7303PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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