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IRF7317PBF
器件3D模型
0.397
IRF7317PBF 数据手册 (10 页)
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IRF7317PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
6.60 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.023 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7317
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.60 A
热阻
62.5 K/W
输入电容值(Ciss)
900pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7317PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7317PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.68 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7317 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7317TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7317PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7317PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 20V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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