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IRF7317TRPBF
器件3D模型
0.283
IRF7317TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7317TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.023 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6.6A/5.3A
正向电压(Max)
1 V
输入电容值(Ciss)
900pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7317TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7317TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7317 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7317TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7317PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7317PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 20V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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