Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF7351TRPBF Datasheet 文档
IRF7351TRPBF
器件3D模型
0.542
IRF7351TRPBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7351TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0137 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
4 V
输入电容
1330 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
8A
上升时间
5.9 ns
输入电容值(Ciss)
1330pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
6.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7351TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7351TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7351 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7351PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF7351 数据手册

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z