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IRF100B202
0.549
IRF100B202 数据手册 (10 页)
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IRF100B202 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0072 Ω
极性
N-Channel
功耗
221 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
97A
上升时间
56 ns
输入电容值(Ciss)
4476pF @50V(Vds)
下降时间
58 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
221W (Tc)

IRF100B202 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
宽度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF100B202 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF100 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
IRF100B202 管装
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 462 A, 0.00107 ohm, TO-247AC, 通孔
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 304 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, 通孔
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