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STF18N60M2
0.489
STF18N60M2 数据手册 (14 页)
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STF18N60M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.255 Ω
极性
N-CH
功耗
25 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
791pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
25 W
下降时间
10.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25W (Tc)

STF18N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STF18N60M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 1.02 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 1.04 MByte

STF18N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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