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IRF7380TRPBF
器件3D模型
0.334
IRF7380TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7380TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.061 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7380
阈值电压
4 V
输入电容
660 pF
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80 V
连续漏极电流(Ids)
3.60 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7380TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7380TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.04 MByte

IRF7380 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
高频DC- DC转换器 High frequency DC-DC converters
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7380TRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7380PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 80 V, 73 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
80V,3.6A,双N沟道HEXFET功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7380PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 80V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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