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IRF7403PBF
器件3D模型
3.381
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IRF7403PBF数据手册
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IRF7403PbF
10
100
1000
4 5 6 7 8 9 10
V = 50V
20µs PULSE WIDTH
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I , Drain-to-Source Current (A)
GS
D
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T , Junction Temperature (°C)
R , Drain-to-Source On Resistance
DS(on)
(Normalized)
V = 10V
GS
A
I = 6.7A
D
1
10
100
1000
0.01 0.1 1 10 100
I , Drain-to-Source Current (A)
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
DS
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
20µs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
J
1
10
100
1000
0.01 0.1 1 10 100
I , Drain-to-Source Current (A)
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
DS
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4. 5V
20µs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
4.5V
J
15V

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International Rectifier(国际整流器)
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IRF7403 数据手册

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Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7403TRPBF  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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