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IRF7416TRPBF-1
器件3D模型
0.19
IRF7416TRPBF-1 数据手册 (9 页)
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IRF7416TRPBF-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
10A
上升时间
49 ns
下降时间
60 ns

IRF7416TRPBF-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7416TRPBF-1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF7416 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS(ON) = 0.02ohm ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
TT Electronics Resistors
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7416TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7416PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
International Rectifier(国际整流器)
-30V,-10A,P沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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