IRF820

￥ 1.523

IRF820 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF820 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF820 数据手册 (10 页)

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IRF820 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

2.50 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

3.00 Ω (max)

极性

N-Channel

功耗

50.0 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500V (min)

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

8.6 ns

下降时间

16 ns

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IRF820 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

宽度

4.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IRF820 符合标准

IRF820 数据手册

IRF820 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.27 MByte

IRF820 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.26 MByte

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