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IRF7509TR
器件3D模型
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IRF7509TR 数据手册 (8 页)
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IRF7509TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电流
2.70 A
封装
TSSOP-8
漏源极电阻
170 mΩ
极性
Dual N-Channel, Dual P-Channel
功耗
1.25 W
零部件系列
IRF7509
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
12.0 ns
输入电容值(Ciss)
210pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W

IRF7509TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7509TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.21 MByte

IRF7509 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = + - 30V ) Power MOSFET(Vdss=+-30V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7509TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
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