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IRF7811WGTRPBF
器件3D模型
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IRF7811WGTRPBF 数据手册 (6 页)
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IRF7811WGTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
3.1W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
14A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
2335pF @16V(Vds)
下降时间
9.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta)

IRF7811WGTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7811WGTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte

IRF7811 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7811AVPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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