器件3D模型

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IRF7811WPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7811WPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 9 mohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7811WPBF 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

IRF7811WPBF 数据手册 (6 页)

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IRF7811WPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

14.0 A

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.009 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

零部件系列

IRF7811W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

14.0 A

上升时间

11 ns

下降时间

9.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IRF7811WPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF7811WPBF 符合标准

IRF7811WPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.18 MByte

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