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IRL1004LPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRL1004LPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRL1004LPBF 数据手册 (11 页)

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IRL1004LPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

极性

N-CH

功耗

3.8W (Ta), 200W (Tc)

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

130A

上升时间

210 ns

输入电容值(Ciss)

5330pF @25V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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IRL1004LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRL1004LPBF 符合标准

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Infineon（英飞凌）

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