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IRF7832TR
器件3D模型
1.123
IRF7832TR 数据手册 (10 页)
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IRF7832TR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W

IRF7832TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)

IRF7832TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.25 MByte

IRF7832 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 20A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
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