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IRF7832Z
器件3D模型
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IRF7832Z 数据手册 (10 页)
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IRF7832Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
21A
输入电容值(Ciss)
3860pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7832Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7832Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.25 MByte

IRF7832 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 20A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
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