器件3D模型

￥ 0.144

IRF8113GPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

场效应管(MOSFET) IRF8113GPBF SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF8113GPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF8113GPBF 数据手册 (10 页)

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IRF8113GPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

N-CH

功耗

2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

17.2A

上升时间

8.9 ns

输入电容值(Ciss)

2910pF @15V(Vds)

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF8113GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF8113GPBF 符合标准

IRF8113GPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.27 MByte

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