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IRF8113GTRPBF
器件3D模型
0.416
IRF8113GTRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF8113GTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
2910pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W

IRF8113GTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF8113GTRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.27 MByte

IRF8113 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8113TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8113PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 17.2A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 17.2A
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