IRF820

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IRF820 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF820 数据手册 (8 页)

IRF820 数据手册 (8 页)

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IRF820 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

500 V

额定电流

2.50 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

3.00 Ω (max)

极性

N-Channel

功耗

50W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500V (min)

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

8.60 ns

输入电容值(Ciss)

360pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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IRF820 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF820 符合标准

IRF820 数据手册

IRF820 数据手册

Vishay Siliconix

8 页 / 0.36 MByte

IRF820 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

9 页 / 0.26 MByte

IRF820 产品封装文件

Vishay Siliconix

9 页 / 0.22 MByte

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