器件3D模型

￥ 0.384

IRF8313PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF8313PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF8313PBF 数据手册 (10 页)

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IRF8313PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

2 W

零部件系列

IRF8313

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

8.10 A

上升时间

9.9 ns

输入电容值(Ciss)

760pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

4.2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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IRF8313PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF8313PBF 符合标准

IRF8313PBF 海关信息

IRF8313PBF 概述

IRF8313PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.24 MByte

IRF8313PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF8313PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRF8313PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF8313PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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