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IRF840ALPBF
1.366
IRF840ALPBF 数据手册 (11 页)
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IRF840ALPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.85 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
1018pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃

IRF840ALPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
1000

IRF840ALPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.68 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.65 MByte

IRF840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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