IRF8714PBF

器件3D模型

￥ 0.465

IRF8714PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF8714PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF8714PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF8714PBF 数据手册 (9 页)

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IRF8714PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0087 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

14A

上升时间

9.9 ns

输入电容值(Ciss)

1020pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

查看数据手册 >

IRF8714PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF8714PBF 符合标准

IRF8714PBF 概述

IRF8714PBF 数据手册

IRF8714PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRF8714PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF8714PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRF8714PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF8714PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF8714 数据手册

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N沟道 30 V 2.5 W 8.1 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8

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