IXTQ36N30P

￥ 1.283

IXTQ36N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

N沟道 300V 36A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ36N30P 数据手册 (5 页)

IXTQ36N30P 数据手册 (5 页)

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IXTQ36N30P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

36A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

2250pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXTQ36N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ36N30P 符合标准

IXTQ36N30P 数据手册

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