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FDC3601N
0.271
FDC3601N 数据手册 (6 页)
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FDC3601N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
1.00 A
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
500 mΩ
极性
N-Channel
功耗
960 mW
阈值电压
2.6 V
输入电容
153 pF
栅电荷
3.70 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.00 A
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
153pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
960 mW

FDC3601N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC3601N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte

FDC3601 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3601N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 100 V, 500 mohm, 10 V, 2.6 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
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