￥ 1.487

IRF9530SPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF9530SPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF9530SPBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF9530SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.3 Ω

极性

P-Channel

功耗

3.7 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

-12.0 A

上升时间

52 ns

输入电容值(Ciss)

860pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.7 W

下降时间

39 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3700 mW

查看数据手册 >

IRF9530SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

10.67 mm

宽度

9.02 mm

高度

4.83 mm

最小包装数量

2000

查看数据手册 >

IRF9530SPBF 符合标准

IRF9530SPBF 概述

IRF9530SPBF 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.16 MByte

IRF9530SPBF 产品修订记录

VISHAY（威世）

3 页 / 0.06 MByte

IRF9530 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF9530 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF9530 数据手册

Vishay Siliconix

IRF9530 数据手册

Intersil（英特矽尔）

12A ， 100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9530 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF9530 数据手册

Samsung（三星）

IRF9530 数据手册

Harris

P沟道 100V 12A

IRF9530 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF9530 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IRF9530 数据手册

Semelab

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号