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IRF9530NSTRRPBF
0.368
IRF9530NSTRRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF9530NSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
3.8 W
极性
P-Channel
功耗
3.8 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
14A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
760pF @25V(Vds)
下降时间
46 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 79W (Tc)

IRF9530NSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF9530NSTRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.74 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.17 MByte

IRF9530 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Intersil(英特矽尔)
12A , 100V , 0.300欧姆,P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
Samsung(三星)
Harris
P沟道 100V 12A
Infineon(英飞凌)
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