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IRF9630PBF
0.294
IRF9630PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9630PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-200 V
额定电流
-6.50 A
封装
TO-220-3
额定功率
74 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.8 Ω
极性
P-Channel
功耗
74 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
-200 V
连续漏极电流(Ids)
-6.50 A
上升时间
27.0 ns
输入电容值(Ciss)
700pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74 W

IRF9630PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.51 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.49 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF9630PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
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IRF9630 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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6.5A , 200V , 0.800欧姆,P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 0.80ohm ,ID = -6.5A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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