IRF9953TRPBF

器件3D模型

￥ 0.317

IRF9953TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF9953TRPBF 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

IRF9953TRPBF 数据手册 (7 页)

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IRF9953TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.165 Ω

极性

P-CH

功耗

2 W

阈值电压

1 V

输入电容

190 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.3A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

190pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

6.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

查看数据手册 >

IRF9953TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF9953TRPBF 符合标准

IRF9953TRPBF 海关信息

IRF9953TRPBF 概述

IRF9953TRPBF 数据手册

IRF9953TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.2 MByte

IRF9953TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF9953TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRF9953TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF9953TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF9953TRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRF9953TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

IRF9953TRPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = -30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)

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HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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INFINEON IRF9953PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 V

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