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IRF9956TRPBF
器件3D模型
0.26
IRF9956TRPBF 数据手册 (7 页)
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IRF9956TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
3.5A
上升时间
8.8 ns
输入电容值(Ciss)
190pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF9956TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9956TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF9956 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.10ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm)
Infineon(英飞凌)
IRF9956TRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9956PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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