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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > NCV1413BDR2G Datasheet 文档
NCV1413BDR2G
器件3D模型
0.209
NCV1413BDR2G 数据手册 (8 页)
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NCV1413BDR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOIC-16
无卤素状态
Halogen Free
输出电压
50 V
输出电流
50 µA
针脚数
16 Position
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
1000 @350mA, 2V
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
30 V

NCV1413BDR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

NCV1413BDR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte

NCV1413BDR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
ON Semiconductor(安森美)
NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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