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IRF9Z24NLPBF
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IRF9Z24NLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF9Z24NLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-55.0 V
额定电流
-12.0 A
封装
TO-262-3
极性
P-Channel
零部件系列
IRF9Z24NL
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
55.0 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W

IRF9Z24NLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube

IRF9Z24NLPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.38 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.37 MByte

IRF9Z24 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
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