￥ 0.559

IRF9Z24SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

VISHAY IRF9Z24SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF9Z24SPBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF9Z24SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

P-Channel

功耗

60 W

漏源极电压(Vds)

-60.0 V

漏源击穿电压

-60.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A, -11.0 A

输入电容值(Ciss)

570pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3700 mW

查看数据手册 >

IRF9Z24SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

查看数据手册 >

IRF9Z24SPBF 符合标准

IRF9Z24SPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.13 MByte

IRF9Z24SPBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 1.16 MByte

IRF9Z24SPBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.06 MByte

IRF9Z24 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF9Z24 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF9Z24 数据手册

Vishay Siliconix

IRF9Z24 数据手册

Samsung（三星）

IRF9Z24 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF9Z24 数据手册

Vishay Intertechnology

IRF9Z24 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IRF9Z24 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF9Z24 数据手册

IRF

功率MOSFET POWER MOSFET

IRF9Z24NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF9Z24NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号