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IRF9Z24PBF
0.491
IRF9Z24PBF 数据手册 (8 页)
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IRF9Z24PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
额定功率
60 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.28 Ω
极性
P-Channel
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
-11.0 A
工作温度(Max)
175 ℃

IRF9Z24PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

IRF9Z24PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 1.76 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
20 页 / 2.6 MByte

IRF9Z24 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
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