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IRF9Z34NSTRRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

场效应管(MOSFET) IRF9Z34NSTRRPBF D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z34NSTRRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF9Z34NSTRRPBF 数据手册 (11 页)

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IRF9Z34NSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

额定功率

68 W

通道数

1 Channel

极性

P-Channel

功耗

3.8 W

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

620pF @25V(Vds)

下降时间

41 ns

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

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IRF9Z34NSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

6.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF9Z34NSTRRPBF 符合标准

IRF9Z34NSTRRPBF 概述

IRF9Z34NSTRRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IRF9Z34NSTRRPBF 产品设计参考手册

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IRF9Z34NSTRRPBF 其他数据使用手册

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10 页 / 0.23 MByte

IRF9Z34NSTRRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

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