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IRFB31N20D
器件3D模型
5.3
IRFB31N20D 数据手册 (12 页)
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IRFB31N20D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
31.0 A
封装
TO-220
功耗
3.1 W
零部件系列
IRFB31N20D
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
31.0 A
上升时间
38.0 ns

IRFB31N20D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube

IRFB31N20D 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.13 MByte

IRFB31N20 数据手册

IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.082ohm ,ID = 31A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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