IRFBC30

￥ 0.288

IRFBC30 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFBC30 数据手册 (6 页)

或点击图片查看大图

IRFBC30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

3.60 A

封装

TO-220

漏源极电阻

2.20 Ω (max)

极性

N-Channel

功耗

74.0 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600V (min)

连续漏极电流(Ids)

3.60 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

660pF @25V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

74000 mW

IRFBC30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

IRFBC30 符合标准

IRFBC30 数据手册

IRFBC30 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.16 MByte

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