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IRFBC30ALPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

VISHAY IRFBC30ALPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 3.6ATO-262

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFBC30ALPBF 数据手册 (13 页)

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IRFBC30ALPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

74 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.60 A

上升时间

13 ns

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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IRFBC30ALPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFBC30ALPBF 符合标准

IRFBC30ALPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.26 MByte

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